詳細情報 |
|||
材料: | SiCの単結晶4h-N | 等級: | 生産の等級 |
---|---|---|---|
Thicnkss: | 1.5mm | Suraface: | DSP |
適用: | エピタキシアル | 直径: | 4Inch |
色: | 緑 | MPD: | <1cm-2> |
ハイライト: | 4h-N SICのウエファー,4H-N炭化ケイ素のウエファー,1.5mmの炭化ケイ素のウエファー |
製品の説明
Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/単一高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素
sicのウエファー4Inchの主な研究の模造の等級4H-N/SEMIの標準サイズ
炭化ケイ素(SiC)の水晶について
炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
屈折の索引@750nm |
= 2.61無し |
= 2.60無し |
比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
|
熱伝導性(Semi-insulating) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N 4inchの直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定
2inch直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定 | ||||||||||
等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||||
直径 | 100. mm±0.5mm | |||||||||
厚さ | 350 μm±25μmか500±25umまたは他のカスタマイズされた厚さ | |||||||||
ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5° | |||||||||
Micropipe密度 | ≤0 cm-2 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10 cm-2 | ||||||
抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||||
第一次平らな長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
二次平らな長さ | 10.0mm±2.0 mm | |||||||||
二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | |||||||||
端の排除 | 1つのmm | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||||
高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | |||||||
高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||||
高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||||
端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||||
生産の表示ショー
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
2-6inchのためのCustomziedのサイズ
|
SiCの適用
アプリケーション領域
- 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiN、
- ダイオード、IGBT、MOSFET
- 2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料(GaN/SiC)で主にLED使用されて
>包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!ほとんど100つの等級のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25pcsカセットによって。
量に従って。